2708 EEPROM PDF

This number indicates quantity of items that could be produced from components in stock. Reasonable quantity of this product can be available within 3 working days. Open the module ZIF socket by lever lever is at upper position. Insert the device into it according to the picture placed near of it and close module ZIF socket by lever lever is at lower position. Visually check interconnection between device and module ZIF socket.

Author:Vudohn Malataxe
Country:Dominica
Language:English (Spanish)
Genre:Personal Growth
Published (Last):18 January 2008
Pages:414
PDF File Size:14.39 Mb
ePub File Size:16.6 Mb
ISBN:933-3-79783-617-6
Downloads:34304
Price:Free* [*Free Regsitration Required]
Uploader:Sagul



История[ править править код ] Разработка ячеек памяти EPROM началась с расследования дефектности интегральных схем, в которых затворы транзисторов оказались разрушенными. Хранимые заряды в этих изолированных затворах изменили их свойства.

Принцип действия[ править править код ] Разрез транзистора с плавающим затвором. Каждый полевой транзистор состоит из канала в полупроводниковой подложке устройства. Контакты истока и стока подходят к зонам в конце канала. Изолирующий слой оксида выращивается поверх канала, затем наносится проводящий управляющий электрод кремний или алюминий , и затем ещё толстый слой оксида осаждается на управляющем электроде.

Плавающий затвор не имеет связи с другими частями интегральной схемы и полностью изолирован от окружающих слоёв оксида. На затвор наносится управляющий электрод, который затем покрывается оксидом. Каждый бит этого слова имеет значение 1 или 0, в зависимости от того, был включён или выключен транзистор, был он в проводящем состоянии или непроводящем.

Переключение состояния полевого транзистора управляется напряжением на управляющем затворе транзистора. По сути накопленный заряд на плавающем затворе позволяет пороговому напряжению транзистора программировать его состояние. Для запоминания данных требуется выбрать нужный адрес и подать более высокое напряжение на транзисторы. Это создаёт лавинный разряд электронов, которые получают достаточно энергии, чтобы пройти через изолирующий слой окисла и аккумулироваться на плавающем затворе см.

Когда высокое напряжение снимается, электроны оказываются запертыми между барьерами из оксида [4] из-за крайне высокого удельного сопротивления. Накопленный заряд не может утечь и может храниться в течение десятилетий. Чтобы стереть данные, хранящиеся в матрице транзисторов, на неё направляется ультрафиолетовый свет. Фотоны ультрафиолетового света, рассеиваясь на избыточных электронах, придают им энергию, что позволяет заряду, хранящемуся на плавающем затворе, рассеяться.

Так как вся матрица памяти подвергается обработке, то все данные стираются одновременно. Процесс занимает несколько минут для УФ-ламп небольших размеров.

В ней матрица памяти монтируется в непрозрачную оболочку. Это устраняет необходимость тестирования функции стирания, что также снижает расходы на изготовление. Запрограммированная память EPROM сохраняет свои данные на десять-двадцать лет, и может быть прочитана неограниченное число раз.

Экспозиция солнечным светом в течение 1 недели или освещение комнатной флуоресцентной лампой в течение 3 лет может привести к стиранию. Освещение ультрафиолетовым светом любой части неупакованного устройства вызывает фототок, который течёт из плавающего затвора на кремниевую подложку, тем самым переводя затвор в исходное незаряженное состояние. Этот метод стирания позволяет осуществлять полное тестирование и коррекцию сложных матриц памяти до корпусования.

Собственно процесс стирания был отработан, но держался в тайне, каковой и остался. По всей видимости, использовалось радиоактивное облучение.

Упоминаемый прогрев кристалла до температур от до градусов Цельсия выглядит для готовой микросхемы не иначе, как шутка. EPROM имеют ограниченное, но большое количество циклов стирания.

Диоксид кремния около затвора накапливает постепенные разрушения при каждом цикле, что делает чип ненадёжным после нескольких тысяч циклов стирания. Программирование EPROM выполняется доволньно медленно по сравнению с другими типами памяти, потому что участки с более высокой плотностью оксида между слоями соединений и затвора получают меньше экспозиции.

Ультрафиолетовое стирание становится менее практичным для очень больших размеров памяти. Даже пыль внутри корпуса может препятствовать некоторым ячейкам памяти выполнить стирание [9].

Программатор выполняет верификацию данных в EPROM не только после операции программирования, но и до неё, проверяя правильность стирания информации перевода всех ячеек памяти в исходное состояние.

Применение[ править править код ] Программируемые через маску ПЗУ при больших партиях выпуска тысячи штук и более имеют довольно низкую стоимость производства. Однако, чтобы их сделать, требуется несколько недель времени, так как нужно выполнить сложные работы для рисования маски каждого слоя интегральной схемы.

Первоначально предполагалось, что EPROM будет стоить слишком дорого для массового производства и использования, поэтому планировалось ограничиться выпуском только опытных образцов. Вскоре выяснилось, что небольшие объёмы производства EPROM экономически целесообразны, особенно, когда требуется быстрое обновление прошивки. Подобно чипам EPROM, такие микроконтроллеры перешли на оконную дорогую версию, что было полезно для отладки и разработки программ. Вскоре эти чипы стали делать по технологии PROM с непрозрачным корпусом что несколько снизило стоимость его производства.

Освещение матрицы памяти такого чипа светом могло также изменить его поведение непредсказуемым образом, когда производство переходило с изготовления оконного варианта на безоконный.

Хотя партии одного типа от разных производителей совместимы по чтению данных, есть небольшие различия в процессе программирования. Однако, поскольку это не универсально, программное обеспечение также позволяет ручную настройку на производителя и тип устройства микросхемы для обеспечения правильного режима программирования.

EFECTOS FISIOLOGICOS DE LA CRIOTERAPIA PDF

The 24U universal 24 pin EPROM replacement kit

This kit is a very small adapter board that can take a cheap and easy to find 28 pin EPROM , , , and can use it to replace a , or Note: the 24U will NOT replace a TMS Why I created this kit as I work on a lot of early 80s arcade games, and was getting tired of finding and stocking s and s. They are fairly hard to find without spending a lot of time, they are VERY expensive, and often the ones I received seemed bad as many would not program. I was pushed over the edge when I started working on bunch of boards that used s which many modern programmers will not program. This adapter board allow me to only buy one type of cheap and easy to find 28 pin EPROM chip and not have to stock so many other types.

BC639 DATASHEET PDF

2708 / 2704 EPROM reader / programmer

The small quartz window admits UV light for erasure. Development of the EPROM memory cell started with investigation of faulty integrated circuits where the gate connections of transistors had broken. Stored charge on these isolated gates changes their threshold voltage. In , he noted the movement of charge through oxide onto a gate. Patent 3,, in Each field-effect transistor consists of a channel in the semiconductor body of the device. Source and drain contacts are made to regions at the end of the channel.

BIOELEMENTOS PRIMARIOS O PRINCIPALES PDF

История[ править править код ] Разработка ячеек памяти EPROM началась с расследования дефектности интегральных схем, в которых затворы транзисторов оказались разрушенными. Хранимые заряды в этих изолированных затворах изменили их свойства. Принцип действия[ править править код ] Разрез транзистора с плавающим затвором. Каждый полевой транзистор состоит из канала в полупроводниковой подложке устройства. Контакты истока и стока подходят к зонам в конце канала. Изолирующий слой оксида выращивается поверх канала, затем наносится проводящий управляющий электрод кремний или алюминий , и затем ещё толстый слой оксида осаждается на управляющем электроде.

Related Articles