Дополнительная информация: Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса исполнение , поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить FJP J , чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд. В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены скидки , в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение. Например, добавив метку "ремонт", этот товар будет отображаться в результатах поиска по этому слову.
| Author: | Fenrijin Dagore |
| Country: | Burundi |
| Language: | English (Spanish) |
| Genre: | Love |
| Published (Last): | 9 August 2010 |
| Pages: | 194 |
| PDF File Size: | 13.80 Mb |
| ePub File Size: | 12.44 Mb |
| ISBN: | 245-8-92205-365-2 |
| Downloads: | 32296 |
| Price: | Free* [*Free Regsitration Required] |
| Uploader: | Zulmaran |
IB 6А, импульсный пиковый IБ пик. Параметры у различных производителей незначительно отличаются. Комплементарная пара Комплементарная пара отсутствует.
Маркировка Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje на корпусе.
Они немного отличаются характеристиками от рассматриваемого в статье устройства, поэтому перед заменой стоит ознакомится с их техническим описанием и выбрать наиболее подходящий для замены. Полными аналогами , но с немного заниженными характеристиками являются mje, mje, mje Они чаще всего встречаются в корпусе ТО Особенности , по своим характеристикам, является силовым транзистором, который сильно греется при работе. Поэтому он выпускается в корпусе, обеспечивающим тепловой контакт между его металлической поверхностью и внешним радиатором.
Металлическая поверхность устройства связана электрически с коллектором. Соблюдайте тепловые параметры при работе устройства. Установка транзистора на радиатор является одним из необходимых условий его правильной работы. Не допускайте сильного увеличения постоянной мощности рассеивания Ptod. При превышении максимально допустимой мощности рассеивания более Вт транзистор перегреется и выйдет из строя.
DECRETO DEL 5 DE NOVIEMBRE DE 2007 IETU PDF
Транзистор MJE13009
.
EMBRIOLOGIA CLINICA MOORE PERSAUD 8 EDICION PDF
Транзистор 13009 (MJE13009)
.